SI8232BD-B-ISR

Il SI8232BD-B-ISR è un gate driver isolato che combina tecnologia avanzata e una serie completa di funzionalità. Con doppio isolamento, elevata frequenza di commutazione e robuste capacità di gestione della corrente, è una scelta eccellente per pilotare dispositivi a semiconduttore di potenza in varie applicazioni. Il driver offre protezione contro le interferenze elettromagnetiche e le fluttuazioni transitorie della tensione, garantendo prestazioni stabili e affidabili. La qualifica AEC-Q100 lo rende adatto per applicazioni automobilistiche e il suo ampio intervallo di temperature operative è adatto a diversi settori. Che si tratti di azionamenti di motori, automazione industriale o alimentatori, SI8232BD-B-ISR rappresenta una soluzione affidabile e ad alte prestazioni per ambienti esigenti.

·Sistemi di erogazione di energia n

·Sistemi di controllo motore n

·Alimentatori cc-cc isolati n

·Sistemi di controllo dell'illuminazione n

·Schermi al plasma n

·Inverter solari e industriali

La famiglia di driver isolati Si823x combina due driver isolati e indipendenti in un unico pacchetto. I Si8230/1/3/4 sono driver high-side/low-side, mentre i Si8232/5/6/7/8 sono driver doppi. Sono disponibili versioni con correnti di uscita di picco di 0,5 A (Si8230/1/2/7) e 4,0 A (Si8233/4/5/6/8). Tutti i driver funzionano con una tensione di alimentazione massima di 24 V.

The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >L'isteresi da 400 mV è disponibile nelle configurazioni con ingresso di controllo individuale (Si8230/2/3/5/6/7/8) o ingresso PWM (Si8231/4). L'elevata integrazione, il basso ritardo di propagazione, le dimensioni installate ridotte, la flessibilità e l'economicità rendono la famiglia Si823x ideale per un'ampia gamma di applicazioni di gate drive MOSFET/IGBT isolate.

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