NCV57256DR2G

NCV57256DR2G offre un'eccellente capacità di corrente di picco in uscita, configurabilità per il funzionamento del driver low-side, high-side o half-bridge e controllo programmabile della sovrapposizione o dei tempi morti per una commutazione precisa. Configurazione half-bridge semplificata con pin di disabilitazione per il sequenziamento della potenza e funzionalità ANB per il sequenziamento della potenza, migliorando il controllo e la sicurezza del sistema. Inoltre, fornisce il bloccaggio del gate IGBT/MOSFET durante il cortocircuito, garantendo la protezione del dispositivo. Il driver presenta un breve ritardo di propagazione, una soglia UVLO stretta e un forte isolamento galvanico, che lo rendono adatto all'uso con NCV57256DR2G. È qualificato AEC-Q100 per l'uso automobilistico ed è ecologico e conforme alla direttiva RoHS. Nel complesso, NCV57256DR2G combina potenza e precisione, rendendolo una scelta eccellente per una varietà di applicazioni di elettronica di potenza.

• Caricabatterie per veicoli elettrici

• Controllo del motore

• Gruppi di continuità (UPS)

• Alimentatori industriali

• Invertitori solari

• Applicazioni automobilistiche

Gli NCx5725y sono gate driver IGBT/MOSFET isolati a due canali ad alta corrente con isolamento galvanico interno da 2,5 o 5 kVrms* dall'ingresso a ciascuna uscita e isolamento funzionale tra i due canali di uscita. Il dispositivo accetta tensioni di polarizzazione e livelli di segnale compresi tra 3,3 V e 20 V sul lato di ingresso e tensioni di polarizzazione fino a 32 V sul lato di uscita. Il dispositivo accetta ingressi complementari e offre pin separati per il controllo della disabilitazione e del tempo morto per comodità di progettazione del sistema. I driver sono disponibili nel pacchetto SOIC−16 wide body e SOIC−16 narrow body.

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