SI8231AB-B-IS1R

SI8231AB-B-IS1R presenta un isolamento ingresso-uscita fino a 5 kVRMS e supporta frequenze di commutazione fino a 8 MHz, fornendo flessibilità e precisione eccezionali per il pilotaggio di dispositivi di potenza. L'elevata corrente di uscita, l'immunità elettromagnetica e l'immunità ai transitori lo rendono una scelta affidabile per le applicazioni più impegnative. Il driver dispone inoltre di protezione da sovrapposizione, tempi morti programmabili e certificazione AEC-Q100 per applicazioni automobilistiche. Con un ampio range operativo e molteplici opzioni di packaging, SI8231AB-B-IS1R eccelle in una varietà di applicazioni di elettronica di potenza, garantendo prestazioni affidabili ed efficienti.

·Sistemi di erogazione di energia n

·Sistemi di controllo motore n

·Alimentatori cc-cc isolati n

·Sistemi di controllo dell'illuminazione n

·Schermi al plasma n

·Inverter solari e industriali

La famiglia di driver isolati Si823x combina due driver isolati e indipendenti in un unico pacchetto. I Si8230/1/3/4 sono driver high-side/low-side, mentre i Si8232/5/6/7/8 sono driver doppi. Sono disponibili versioni con correnti di uscita di picco di 0,5 A (Si8230/1/2/7) e 4,0 A (Si8233/4/5/6/8). Tutti i driver funzionano con una tensione di alimentazione massima di 24 V.

The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >L'isteresi da 400 mV è disponibile nelle configurazioni con ingresso di controllo individuale (Si8230/2/3/5/6/7/8) o ingresso PWM (Si8231/4). L'elevata integrazione, il basso ritardo di propagazione, le dimensioni installate ridotte, la flessibilità e l'economicità rendono la famiglia Si823x ideale per un'ampia gamma di applicazioni di gate drive MOSFET/IGBT isolate.

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