NCV57090BDWR2G

NCV57090BDWR2G è un gate driver di isolamento avanzato noto per l'elevata corrente di uscita di picco, la bassa caduta di tensione del morsetto e varie funzionalità di protezione. Con una corrente di uscita di picco di ±6,5 A, offre un controllo preciso di IGBT e MOSFET. La bassa caduta di tensione del morsetto elimina la necessità di un'alimentazione negativa, semplificando la progettazione del sistema. Brevi ritardi di propagazione e bloccaggio attivo del gate durante i cortocircuiti migliorano le prestazioni e l'affidabilità del sistema. La funzione di abbassamento attivo del cancello garantisce uno spegnimento rapido del dispositivo, aumentando la sicurezza del sistema. Soglie UVLO strette e un ampio intervallo di tensione di polarizzazione forniscono flessibilità nella selezione della tensione di polarizzazione. Il dispositivo supporta ingressi logici a 3,3 V, 5 V e 15 V e offre isolamento galvanico a 5 kVrms, elevata immunità ai transitori e immunità elettromagnetica. È inoltre qualificato AEC-Q100, compatibile con PPAP, senza Pb, senza alogeni/BFR e conforme a RoHS, il che lo rende adatto per applicazioni automobilistiche e attente all'ambiente.

·Controllo del motore

· Gruppi di continuità (UPS)

·Applicazioni automobilistiche

·Alimentatori industriali

·Inverter solari

NCx57090y e NCx57091y sono gate driver IGBT/MOSFET a canale singolo ad alta corrente con isolamento galvanico interno da 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza e affidabilità del sistema in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come Active Miller Clamp (versione A/D/F), alimentazione negativa (versione B) e uscite driver separate alta e bassa (OUTH e OUTL) (versione C /E) per comodità di progettazione del sistema. Il driver supporta un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione in ingresso e livelli di segnale da 3,3 V a 20 V e sono disponibili in contenitore SOIC−8 wide-body.

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