
H11D2-X007T
Descrizione
Parametri tecnici
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Produttore parte |
H11D2-X007 |
H11D2-X007T |
H11D2-X017 |
H11D2-X017T |
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Descrizione |
ACCOPPIATORE OTTICO, FOTOTRANSISTOR OUT |
ACCOPPIATORE OTTICO, FOTOTRANSISTOR OUT |
ACCOPPIATORE OTTICO, FOTOTRANSISTOR OUT |
ACCOPPIATORE OTTICO, FOTOTRANSISTOR OUT |
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Azione |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
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Stato del prodotto |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
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Tensione - Isolamento |
5000 Vrm |
5000 Vrm |
5000 Vrm |
5000 Vrm |
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Rapporto di trasferimento corrente (min) |
20% a 10 mA |
20% a 10 mA |
20% a 10 mA |
20% a 10 mA |
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Rapporto di trasferimento corrente (massimo) |
600% a 10 mA |
600% a 10 mA |
600% a 10 mA |
600% a 10 mA |
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Orario di accensione/spegnimento (tip.) |
5µs,5µs |
5µs,5µs |
5µs,5µs |
5µs,5µs |
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Tipo di ingresso |
DC |
DC |
DC |
DC |
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Tipo di uscita |
Transistor alta tensione |
Transistor alta tensione |
Transistor alta tensione |
Transistor alta tensione |
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Tensione - Uscita (max) |
300V |
300V |
300V |
300V |
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Corrente - Uscita/Canale |
100 mA |
100 mA |
100 mA |
100 mA |
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Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
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Corrente - CC diretta (Se) (Max) |
- |
- |
- |
- |
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Temperatura operativa |
-55 grado ~ 100 gradi |
-55 grado ~ 100 gradi |
-55 grado ~ 100 gradi |
-55 grado ~ 100 gradi |
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Pacchetto/custodia |
SMD6(7,62 mm) |
SMD6(7,62 mm) |
SMD6(7,62 mm) |
SMD6(7,62 mm) |
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Pacchetto |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
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Produttore parte |
H11D3-X007 |
H11D3-X007T |
H11D3-X017 |
H11D3-X017T |
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Descrizione |
ACCOPPIATORE OTTICO, FOTOTRANSISTOR OUT |
ACCOPPIATORE OTTICO, FOTOTRANSISTOR OUT |
ACCOPPIATORE OTTICO, FOTOTRANSISTOR OUT |
ACCOPPIATORE OTTICO, FOTOTRANSISTOR OUT |
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Azione |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
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Stato del prodotto |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
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Tensione - Isolamento |
5000 Vrm |
5000 Vrm |
5000 Vrm |
5000 Vrm |
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Rapporto di trasferimento corrente (min) |
20% a 10 mA |
20% a 10 mA |
20% a 10 mA |
20% a 10 mA |
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Rapporto di trasferimento corrente (massimo) |
600% a 10 mA |
600% a 10 mA |
600% a 10 mA |
600% a 10 mA |
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Orario di accensione/spegnimento (tip.) |
5µs,5µs |
5µs,5µs |
5µs,5µs |
5µs,5µs |
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Tipo di ingresso |
DC |
DC |
DC |
DC |
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Tipo di uscita |
Transistor alta tensione |
Transistor alta tensione |
Transistor alta tensione |
Transistor alta tensione |
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Tensione - Uscita (max) |
300V |
300V |
300V |
300V |
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Corrente - Uscita/Canale |
100 mA |
100 mA |
100 mA |
100 mA |
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Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
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Corrente - CC diretta (Se) (Max) |
- |
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Temperatura operativa |
-55 grado ~ 100 gradi |
-55 grado ~ 100 gradi |
-55 grado ~ 100 gradi |
-55 grado ~ 100 gradi |
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Pacchetto/custodia |
SMD6(7,62 mm) |
SMD6(7,62 mm) |
SMD6(7,62 mm) |
SMD6(7,62 mm) |
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Pacchetto |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Applicaziones:
• Telecomunicazioni
• Controlli industriali
• Apparecchiature alimentate a batteria
• Macchine per ufficio
• Controllori programmabili
Descrizione generale:
L'H11Dx è dotato di un diodo emettitore a infrarossi GaAs, accoppiato otticamente a un rilevatore di fototransistor planare in silicio ed incorporato in un contenitore DIP-6 in plastica.
Presenta un elevato rapporto di trasferimento di corrente, una bassa capacità di accoppiamento e un'elevata tensione di isolamento.
Il dispositivo di accoppiamento è progettato per la trasmissione del segnale tra due circuiti elettrici separati.
Etichetta sexy: h11d2-x007t, Cina h11d2-x007t produttori, fornitori
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