
6N136S(TA)
Descrizione
Parametri tecnici
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Parte del produttore |
6N136S(TA) |
6N136S(TA)-V |
6N136S(B) |
6N136S(TB)-V |
6N136S1(TA) |
6N136S1(TA)-V |
6N136S1(in inglese) |
6N136S1(TB)-V |
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Descrizione |
OPTOACCOPPIATORE, FOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOACCOPPIATORE, FOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOACCOPPIATORE, FOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOACCOPPIATORE, FOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOACCOPPIATORE, FOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOACCOPPIATORE, FOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOACCOPPIATORE, FOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOACCOPPIATORE, FOTOTRANSISTOR OUT |
|
Azione |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
|
Stato del prodotto |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
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Tensione - Isolamento |
5000Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
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Rapporto di trasferimento corrente (min) |
19% a 16 mA |
19% a 16 mA |
19% a 16 mA |
19% a 16 mA |
19% a 16 mA |
19% a 16 mA |
19% a 16 mA |
19% a 16 mA |
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Rapporto di trasferimento corrente (max) |
50% a 16 mA |
50% a 16 mA |
50% a 16 mA |
50% a 16 mA |
50% a 16 mA |
50% a 16 mA |
50% a 16 mA |
50% a 16 mA |
|
Ora di accensione/spegnimento (tip.) |
350 ns, 500 ns |
350 ns, 500 ns |
350 ns, 500 ns |
350 ns, 500 ns |
350 ns, 500 ns |
350 ns, 500 ns |
350 ns, 500 ns |
350 ns, 500 ns |
|
Tipo di input |
corrente continua |
corrente continua |
corrente continua |
corrente continua |
corrente continua |
corrente continua |
corrente continua |
corrente continua |
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Tipo di uscita |
Transistore da 1 MB |
Transistore da 1 MB |
Transistore da 1 MB |
Transistore da 1 MB |
Transistore da 1 MB |
Transistore da 1 MB |
Transistore da 1 MB |
Transistore da 1 MB |
|
Tensione - Uscita (Max) |
20V |
20V |
20V |
20V |
20V |
20V |
20V |
20V |
|
Corrente - Uscita / Canale |
8mA |
8mA |
8mA |
8mA |
8mA |
8mA |
8mA |
8mA |
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Tensione - Avanti (Vf) (Tip) |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
|
Corrente - DC diretta (If) (Max) |
25mA |
25mA |
25mA |
25mA |
25mA |
25mA |
25mA |
25mA |
|
Temperatura di esercizio |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
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Confezione/custodia |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
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Pacchetto |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Applicaziones:
• Ricevitori di linea
• Apparecchiature per telecomunicazioni
• Isolamento dei transistor di potenza negli azionamenti dei motori
• Sostituzione per fotoaccoppiatori fototransistor a bassa velocità
• Ciclo di feedback negli alimentatori switching
• Elettrodomestici
• Isolamento di terra logico ad alta velocità
Descrizione generale:
I dispositivi 6N135, 6N136 ed EL4502 sono costituiti ciascuno da un diodo a emissione infrarossa, accoppiato otticamente a un transistor fotorilevatore ad alta velocità. Una connessione separata per la polarizzazione del fotodiodo e il collettore del transistor di uscita aumenta la velocità di diversi ordini di grandezza rispetto agli accoppiatori fototransistor convenzionali riducendo la capacità base-collettore del transistor di ingresso.
I dispositivi sono confezionati in un package DIP a 8- pin e sono disponibili con ampia spaziatura dei conduttori e opzione SMD.
Etichetta sexy: 6n136s(ta), Cina 6n136s(ta) produttori, fornitori
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