FOD8343R2

FOD8343R2

Il FOD8343R2 offre un'elevata velocità di commutazione sull'intero intervallo di temperature operative, con un ritardo di propagazione massimo di 210 ns e una distorsione massima dell'ampiezza dell'impulso di 65 ns.
Invia la tua richiesta

Descrizione

Parametri tecnici

Il gate driver dell'accoppiatore ottico FOD8343R2 è una soluzione ad alte prestazioni adatta ad applicazioni IGBT/MOSFET di media potenza. Le caratteristiche degne di nota includono una distanza di dispersione e di isolamento di 8 mm, una distanza di isolamento di 0,4 mm e una robusta corrente di uscita di picco massima di 4,0 A. L'utilizzo di MOSFET a canale P consente un'oscillazione della tensione vicino al rail di alimentazione, mentre il dispositivo mantiene una reiezione minima di modo comune di 50 kV/s su un ampio intervallo di tensione di alimentazione (da 10 V a 30 V). Con velocità di commutazione elevate, incluso un ritardo di propagazione massimo di 210 ns e blocco di sottotensione con isteresi, FOD8343R2 garantisce un controllo preciso. Funzionando in un intervallo di temperature industriali esteso (da -40 gradi a 100 gradi) e soddisfacendo gli standard di sicurezza come UL1577 e DIN EN/IEC60747-5-5, questo gate driver è una scelta affidabile e conforme per i sistemi industriali che richiedono elevate isolamento della tensione, efficienza e conformità normativa.

product-1757-1330

Prodotti correlati:

Produttore parte

FOD8343

FOD8343R2

FOD8343T

FOD8343TR2

FOD8343TR2V

FOD8343TV

Descrizione

DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO

DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO

DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO

DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO

DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO

DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO

Azione

50000

50000

50000

50000

50000

50000

Stato del prodotto

Attivo

Attivo

Attivo

Attivo

Attivo

Attivo

Tecnologia

Accoppiamento ottico

Accoppiamento ottico

Accoppiamento ottico

Accoppiamento ottico

Accoppiamento ottico

Accoppiamento ottico

Numero di canali

1

1

1

1

1

1

Tensione - Isolamento

5000 Vrm

5000 Vrm

5000 Vrm

5000 Vrm

5000 Vrm

5000 Vrm

Immunità transitoria in modalità comune (min)

50kV/us

50kV/us

50kV/us

50kV/us

50kV/us

50kV/us

Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)

210ns, 210ns

210ns, 210ns

210ns, 210ns

210ns, 210ns

210ns, 210ns

210ns, 210ns

Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max)

65ns

65ns

65ns

65ns

65ns

65ns

Corrente: uscita alta, bassa

3A, 3A

3A, 3A

3A, 3A

3A, 3A

3A, 3A

3A, 3A

Corrente - Uscita di picco

3A

3A

3A

3A

3A

3A

Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)

1.4V

1.4V

1.4V

1.4V

1.4V

1.4V

Corrente - CC diretta (Se) (Max)

25 mA

25 mA

25 mA

25 mA

25 mA

25 mA

Tensione - Alimentazione in uscita

10V ~ 30V

10V ~ 30V

10V ~ 30V

10V ~ 30V

10V ~ 30V

10V ~ 30V

temperatura di esercizio

-40-C ~ 100-C

-40-C ~ 100-C

-40-C ~ 100-C

-40-C ~ 100-C

-40-C ~ 100-C

-40-C ~ 100-C

Pacchetto/custodia

SDIP6(6,8x1,27)

SDIP6(6,8x1,27)

SDIP6(6,8x1,27)

SDIP6(6,8x1,27)

SDIP6(6,8x1,27)

SDIP6(6,8x1,27)

Pacchetto

Nastro e bobina (TR)

Nastro e bobina (TR)

Nastro e bobina (TR)

Nastro e bobina (TR)

Nastro e bobina (TR)

Nastro e bobina (TR)

 

Applicazione:

 

• Azionamenti per motori CA e CC senza spazzole

• Invertitore industriale

• Riscaldamento a induzione con gruppo di continuità

• Azionamento gate IGBT/MOSFET di potenza isolato

 

Descrizione:

 

La serie FOD8343 è un fotoaccoppiatore con gate drive della corrente di uscita di picco massimo da 4,0 A, in grado di pilotare IGBT/MOSFET di media potenza. È ideale per il pilotaggio a commutazione rapida di IGBT e MOSFET di potenza utilizzati in applicazioni di inverter di controllo motore e sistemi di alimentazione ad alte prestazioni. La serie FOD8343 utilizza un pacchetto corpo allungato per raggiungere distanze di dispersione e di isolamento di 8 mm (FOD8343T) e un design IC ottimizzato per ottenere in modo affidabile una tensione di isolamento elevata e un'elevata immunità al rumore. La serie FOD8343 è costituita da un diodo emettitore di luce (LED) all'arseniuro di alluminio e gallio (AlGaAs) accoppiato otticamente a un circuito integrato con un driver ad alta velocità per lo stadio di uscita MOSFET push-pull. Il dispositivo è alloggiato in un corpo allungato, a 6 pin, con profilo piccolo, contenitore in plastica.

Etichetta sexy: fod8343r2, Cina fod8343r2 produttori, fornitori

Invia la tua richiesta