ACPL-P349-500E
Descrizione
Parametri tecnici
Il gate driver per accoppiatore ottico ACPL-P349-500E è una soluzione ad alte prestazioni su misura per applicazioni complesse di elettronica di potenza. Le caratteristiche degne di nota includono una robusta corrente di uscita di picco massima di 2.5-A, un ampio intervallo VCC operativo da 15 V a 30 V e ritardi di propagazione eccezionalmente rapidi con un massimo di 110 ns e una differenza di 50-ns ridotta. Il dispositivo garantisce versatilità con capacità di tensione di uscita rail-to-rail ed eccelle nel funzionamento immune al rumore, offrendo una reiezione di modo comune (CMR) minima di 100 kV/μs a VCM=1500V. Ulteriori vantaggi includono ingresso di corrente LED con isteresi per prestazioni LED stabili, bassa corrente di alimentazione (ICC) a 4,2 mA, protezione di blocco sottotensione (UVLO) e affidabilità in un intervallo di temperature industriali da -40 gradi a 105 gradi .
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Produttore parte |
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Descrizione |
DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO |
DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO |
DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO |
DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO |
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Azione |
50000 |
50000 |
50000 |
50000 |
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Stato del prodotto |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
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Tecnologia |
Accoppiamento ottico |
Accoppiamento ottico |
Accoppiamento ottico |
Accoppiamento ottico |
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Numero di canali |
1 |
1 |
1 |
1 |
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Tensione - Isolamento |
3750 Vrm |
3750 Vrm |
3750 Vrm |
3750 Vrm |
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Immunità transitoria in modalità comune (min) |
50kV/us |
50kV/us |
50kV/us |
50kV/us |
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Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) |
110ns,110ns |
110ns,110ns |
110ns,110ns |
110ns,110ns |
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Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) |
40ns |
40ns |
40ns |
40ns |
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Corrente: uscita alta, bassa |
2A,2A |
2A,2A |
2A,2A |
2A,2A |
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Corrente - Uscita di picco |
2A |
2A |
2A |
2A |
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Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
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Corrente - CC diretta (Se) (Max) |
25 mA |
25 mA |
25 mA |
25 mA |
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Tensione - Alimentazione in uscita |
15 V ~ 30 V |
15 V ~ 30 V |
15 V ~ 30 V |
15 V ~ 30 V |
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temperatura di esercizio |
-40-C ~ 105-C |
-40-C ~ 105-C |
-40-C ~ 105-C |
-40-C ~ 105-C |
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Pacchetto/custodia |
SDIP6(6,8x1,27) |
SDIP6(6,8x1,27) |
SDIP6(6,8x1,27) |
SDIP6(6,8x1,27) |
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Pacchetto |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Applicazioni:
•Mosfet SiC/GaN e gate drive IGBT
•Azionamenti a motore
•Inverter industriali
•Inverter per energie rinnovabili
•Alimentatori switching
Descrizione:
Broadcom® ACPL-P349/W349 contiene un LED AlGaAs, accoppiato otticamente a un circuito integrato con uno stadio di uscita di potenza. Questo fotoaccoppiatore è ideale per pilotare MOSFET e IGBT SiC/GaN (carburo di silicio/nitruro di gallio) utilizzati nelle applicazioni di conversione di potenza. L'elevato intervallo di tensione operativa dello stadio di uscita fornisce le tensioni di pilotaggio richieste dai dispositivi controllati dal gate. La tensione e la corrente di uscita di picco elevata fornite da questo fotoaccoppiatore lo rendono ideale per il pilotaggio diretto di MOSFET SiC/GaN e IGBT con valori nominali fino a 1200 V/100 A.
ATTENZIONE!
Si consiglia di adottare le normali precauzioni statiche nella manipolazione e nell'assemblaggio di questo componente per prevenire danni e/o degrado che potrebbero essere indotti dall'ESD. I componenti descritti in questa scheda tecnica non devono essere utilizzati in applicazioni o ambienti militari o aerospaziali.
Etichetta sexy: acpl-p349-500e, Cina acpl-p349-500e produttori, fornitori
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