TLP5702(TP,E
Descrizione
Parametri tecnici
TLP5702 è un gate driver con accoppiatore ottico ad alte prestazioni dotato di una configurazione di uscita totem pole, che garantisce un'efficiente integrità del segnale durante il controllo del dispositivo di potenza. Con un'impressionante corrente di picco in uscita di ±2,5 A, questo dispositivo consente una commutazione precisa e affidabile. Funzionando in un ampio intervallo di temperature (da -40 a 110 gradi) e consumando una corrente di alimentazione bassa di 3,0 mA, il TLP5702 offre versatilità ed efficienza energetica. L'intervallo di tensione di alimentazione da 15 a 30 V migliora la compatibilità con vari sistemi. Il rapido tempo di ritardo di propagazione del dispositivo (200 ns max) e la robusta immunità ai transitori di modo comune (±30 kV/μs min) lo rendono adatto per applicazioni di commutazione ad alta velocità, mentre una tensione di isolamento di 5000 Vrms garantisce sicurezza e protezione contro i loop di terra.
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Produttore parte |
TLP5702 |
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TLP5702(D4-TP,E |
TLP5702(D4-TP4,E |
TLP5702(TP,E |
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Descrizione |
DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO |
DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO |
DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO |
DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO |
DRIVER MOSFET IGBT OPTOISO |
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Azione |
50000 |
50000 |
50000 |
50000 |
50000 |
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Stato del prodotto |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
Attivo |
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Tecnologia |
Accoppiamento ottico |
Accoppiamento ottico |
Accoppiamento ottico |
Accoppiamento ottico |
Accoppiamento ottico |
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Numero di canali |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
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Tensione - Isolamento |
5000 Vrm |
5000 Vrm |
5000 Vrm |
5000 Vrm |
5000 Vrm |
|
Immunità transitoria in modalità comune (min) |
20kV/μs |
20kV/μs |
20kV/μs |
20kV/μs |
20kV/μs |
|
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
|
Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) |
50ns |
50ns |
50ns |
50ns |
50ns |
|
Corrente: uscita alta, bassa |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
|
Corrente - Uscita di picco |
2.5A |
2.5A |
2.5A |
2.5A |
2.5A |
|
Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
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Corrente - CC diretta (Se) (Max) |
20 mA |
20 mA |
20 mA |
20 mA |
20 mA |
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Tensione - Alimentazione in uscita |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
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temperatura di esercizio |
-40 grado ~ 110 gradi |
-40 grado ~ 110 gradi |
-40 grado ~ 110 gradi |
-40 grado ~ 110 gradi |
-40 grado ~ 110 gradi |
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Pacchetto/custodia |
SDIP6(7,5x1,27) |
SDIP6(7,5x1,27) |
SDIP6(7,5x1,27) |
SDIP6(7,5x1,27) |
SDIP6(7,5x1,27) |
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Pacchetto |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Applicazioni:
• Piani cottura a induzione ed elettrodomestici
• Inverter Industriali
• Inverter per climatizzatori
• Gate driver MOSFET
• Gate driver IGBT
Generale:
Il TLP5702 è un fotoaccoppiatore in un package SO6L a 6-pin costituito da un LED a infrarossi accoppiato otticamente a un chip IC fotorilevatore integrato ad alto guadagno e ad alta velocità. Fornisce prestazioni e specifiche garantite a temperature fino a 110 gradi.
Il TLP5702 è fisicamente più piccolo/più sottile di quello contenuto in un contenitore DIP a 8-pin ed è conforme agli standard di sicurezza internazionali per l'isolamento rinforzato. Fornisce quindi una soluzione con ingombro ridotto per le applicazioni che richiedono la certificazione degli standard di sicurezza. Uno schermo antirumore interno fornisce un'immunità ai transitori di modo comune garantita di ±30 kV/μs.
Il TLP5702 è ideale per IGBT di classe medio-piccola e gate drive MOSFET di potenza.
Etichetta sexy: tlp5702(tp,e, Cina tlp5702(tp,e produttori, fornitori
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