
SI8237AB-B-IS1R
Descrizione
Parametri tecnici
Il dispositivo offre versatilità con le versioni HS/LS e doppio driver, adattandosi a un'ampia gamma di applicazioni, e la sua elevata frequenza di commutazione di 8 MHz consente un controllo preciso. Con opzioni di uscita di picco che vanno da 0,5 A a ben 4,0 A, SI8237AB-B-IS1R si adatta a diversi requisiti di alimentazione. Progettato per un'elevata immunità elettromagnetica e un rapido ritardo di propagazione di 60 ns, funziona perfettamente anche in ambienti elettricamente rumorosi. L'inclusione di ingressi indipendenti o versioni PWM, immunità ai transitori superiore a 45 kV/μs, protezione da sovrapposizione e tempi morti programmabili garantiscono prestazioni ottimali. La qualifica AEC-Q100 ne attesta l'affidabilità e il suo ampio intervallo operativo da -40 a +125 gradi, insieme ai pacchetti conformi alla direttiva RoHS, ne migliora l'adattabilità alle diverse condizioni ambientali. In conclusione, SI8237AB-B-IS1R stabilisce un nuovo standard per l'elettronica di potenza, offrendo a ingegneri e progettisti una soluzione affidabile con funzionalità avanzate e rigorosi standard di qualificazione.

Prodotti correlati:
|
Produttore parte |
SI8237AB-B-AS1R |
SI8237AB-B-IS1R |
|
Descrizione |
DVR DGTL ISO GATE |
DVR DGTL ISO GATE |
|
Azione |
30000 |
30000 |
|
Stato del prodotto |
Attivo |
Attivo |
|
Tecnologia |
Accoppiamento capacitivo |
Accoppiamento capacitivo |
|
Numero di canali |
2 |
2 |
|
Isolamento di tensione |
2500 Vrm |
2500 Vrm |
|
Immunità transitoria in modalità comune (min) |
20kV/us |
20kV/us |
|
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) |
60ns, 60ns |
60ns, 60ns |
|
Corrente: uscita alta, bassa |
250 mA, 500 mA |
250 mA, 500 mA |
|
Tensione - Alimentazione |
5V ~ 24V |
5V ~ 24V |
|
temperatura di esercizio |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
|
Pacchetto/custodia |
SOP16 |
SOP16 |
|
Pacchetto |
Nastro e bobina (TR) |
Nastro e bobina (TR) |
Applicazioni:
·Sistemi di erogazione di energia
·Sistemi di controllo motore
·Alimentatori cc-cc isolati
·Sistemi di controllo dell'illuminazione
·Schermi al plasma
·Inverter solari e industriali
Descrizione:
La famiglia di driver isolati Si823x combina due driver isolati e indipendenti in un unico pacchetto. I Si8230/1/3/4 sono driver high-side/low-side, mentre i Si8232/5/6/7/8 sono driver doppi. Sono disponibili versioni con correnti di uscita di picco di 0,5 A (Si8230/1/2/7) e 4,0 A (Si8233/4/5/6/8). Tutti i driver funzionano con una tensione di alimentazione massima di 24 V.
The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >L'isteresi da 400 mV è disponibile nelle configurazioni con ingresso di controllo individuale (Si8230/2/3/5/6/7/8) o ingresso PWM (Si8231/4). L'elevata integrazione, il basso ritardo di propagazione, le dimensioni installate ridotte, la flessibilità e l'economicità rendono la famiglia Si823x ideale per un'ampia gamma di applicazioni di gate drive MOSFET/IGBT isolati.
Etichetta sexy: si8237ab-b-is1r, Cina si8237ab-b-is1r produttori, fornitori
Un paio di
SI8237BC-D-IS1IL prossimo Articolo
UCC21530DWKRInvia la tua richiesta
Potrebbe piacerti anche







