NCV57252DWR2G

NCV57252DWR2G è un gate driver di isolamento altamente versatile e ad alte prestazioni progettato per un'ampia gamma di applicazioni di elettronica di potenza. Vanta caratteristiche quali corrente di uscita di picco elevata, configurabilità come doppio driver low-side, doppio high-side o half-bridge, sovrapposizione programmabile e controllo dei tempi morti e un pin di disabilitazione per il sequenziamento dell'alimentazione. La sua funzione ANB semplifica la progettazione dei circuiti e offre il bloccaggio del gate IGBT/MOSFET durante i cortocircuiti. L'isolamento galvanico di 2,5 o 5 kVrms e le strette soglie UVLO migliorano la sicurezza e l'affidabilità, mentre il supporto per vari intervalli di ingressi logici garantisce un'integrazione perfetta. Questo driver è particolarmente adatto per applicazioni quali caricabatterie per veicoli elettrici, controllo motori, UPS, alimentatori industriali, inverter solari e sistemi automobilistici, rendendolo una scelta robusta e flessibile per i moderni progetti di elettronica di potenza.

• Caricabatterie per veicoli elettrici

• Controllo del motore

• Gruppi di continuità (UPS)

• Alimentatori industriali

• Invertitori solari

• Applicazioni automobilistiche

Gli NCx5725y sono gate driver IGBT/MOSFET isolati a due canali ad alta corrente con isolamento galvanico interno da 2,5 o 5 kVrms* dall'ingresso a ciascuna uscita e isolamento funzionale tra i due canali di uscita. Il dispositivo accetta tensioni di polarizzazione e livelli di segnale compresi tra 3,3 V e 20 V sul lato di ingresso e tensioni di polarizzazione fino a 32 V sul lato di uscita. Il dispositivo accetta ingressi complementari e offre pin separati per il controllo della disabilitazione e del tempo morto per comodità di progettazione del sistema. I driver sono disponibili nel pacchetto SOIC−16 wide body e SOIC−16 narrow body.

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